現代功率模塊及器件應用技術（4）
現代功率模塊及器件應用技術（4）Ulrich Nicolai, Tobias Reimann 著 李毅，魏宇浩 譯（賽米控國際公司）4 SEMIKRON功率模塊4.1 SEMIKRON功率模塊的命名方法 制造商通過命名來標識其產品不同的功能、內部線路、電流和電壓限值以及其他說明。 下面給出了SEMIKRON生產的MOSFET和IGBT模塊的命名規則。4.1.1 功率MOSFET模塊 SK M 120 B 020 ① ② ③ ④ ⑤ ① SEMIKRON器件 ② MOS技術 ③ 漏極電流等級（Tcase=25℃時的ID/A） ④ 線路 A 單管 B 雙管（半橋） D 六管（三相橋） M 兩只MOSFET相背連接 ⑤ 漏極—源極電壓等級〔VDS/（V/10）〕4.1.2 IGBT模塊SEMITRANS SK M 100 G B 12 3 D L ① ② ③ ④ ···
