Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應用范圍很廣,但不能說現在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構成技術性能非常好的電路。首先，門極-源極間電壓以0V時考慮（VGS=0）。在此狀態下漏極-源極間電壓VDS從0V增加，漏電流ID幾乎與VDS成比例增加，將此區域稱為非飽和區。VDS達到某值以上漏電流ID的變化變小，幾乎達到一定值。此時的ID稱為飽和漏電流（有時也稱漏電流用IDSS表示。與此IDSS對應的VDS稱為夾斷電壓VP，此區域稱為飽和區。

　　其次在漏極-源極間加一定的電壓VDS(例如0.8V)，VGS值從0開始向負方向增加，ID的值從IDSS開始慢慢地減少，對某VGS值ID=0。將此時的VGS稱為門極-源極間遮斷電壓或者截止電壓，用VGS(off)示。n溝道JFET的情況則VGS(off)值帶有負的符號,測量實際的JFET對應ID=0的VGS因為很困難,在放大器使用的小信號JFET時,將達到ID=0.1-10μA的VGS定義為VGS(off)的情況多些。關于JFET為什么表示這樣的特性，用圖作以下簡單的說明。 晶體三極管的結構和類型

　　晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。
　　發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電極?；鶇^很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里；NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。

三極管的封裝形式和管腳識別

　　常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規律，如圖對于小功率金屬封裝三極管，按圖示底視圖位置放置，使三個引腳構成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為e b c；對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為e b c。