1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。
   封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA不用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。
   該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225?，F在也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。
   美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為
GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
   2、BQFP(quad flat package with bumper)
   帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中采用
此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
   3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。
   4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
   5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
   6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
   7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。
帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為
QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
   8、COB(chip on board)
板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技術。
   9、DFP(dual flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
   10、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
   11、DIL(dual in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
   12、DIP(dual in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
   13、DSO(dual small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。
   14、DICP(dual tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利
用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定，將DICP 命名為DTP。
   15、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。
   16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。
   17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI 芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
   18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
   19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
   20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變形。
在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
   21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
   22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。
   23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。
   24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
   25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?，F已實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用于高速邏輯
LSI 電路。LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。
   26、LOC(lead on chip)
芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。
   27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
   28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳(0.65mm中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產。
   29、MCM(multi-chip module)
多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。
MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。
MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使
用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。
布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。